การศึกษาโครงสร้างและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นพาสซิเวชันด้านหลังต้นทุนต่ำในเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดซิลิคอน

Please use this identifier to cite or link to this item: http://sutir.sut.ac.th:8080/jspui/handle/123456789/4061

Title:	การศึกษาโครงสร้างและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นพาสซิเวชันด้านหลังต้นทุนต่ำในเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดซิลิคอน
Other Titles:	Study of structural and electrical properties of low cost passivation layer at back surface in silicon solar cell
Authors:	กิตติศักดิ์ อมรสุรินทวงศ์
Keywords:	Pinhole contact;Silicon dioxide;Al spiking;Phase exchange process;Solar cell
Issue Date:	2555
Publisher:	สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า สำนักวิชาวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี
URI:	http://sutir.sut.ac.th:8080/jspui/handle/123456789/4061
Appears in Collections:	วิทยานิพนธ์ (Thesis)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Abstract.pdf		179.18 kB	Adobe PDF	View/Open
Fulltext.pdf		6.57 MB	Adobe PDF	View/Open